TBPを用いたOMVPE法によるEr添加InPの成長と評価

• 松原 直輝

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 伊藤 祐介

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 野々垣 陽一

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 藤田 敬次

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 藤原 康文

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 竹田 美和

  名古屋大学工学部材料機能工学科

書誌事項

タイトル別名

• Growth and characterization of Er-doped InP by OMVPE with TBP

抄録

有機V族原料であるTBPを用いたOMVPE法によりEr添加InPを成長し、Er添加条件が試料の諸特性に及ぼす影響について系統的に調べた。成長層中のEr濃度に着目してSIMS測定を行ったところ、その濃度は成長方向に対してほぼ一定であり、Er供給条件により精密制御可能であった。試料の表面モフォロジーはEr濃度に強く依存した。PL測定において、すべての試料から1.54μm近傍にEr^<3+>の4f殻内遷移に起因する発光が観測された。それらPLスペクトルのEr濃度依存性を解析することにより、成長層内に少なくとも2種類のEr発光中心が含まれることが明らかになった。PL強度は成長温度の低下とともに増大し、550℃以下で飽和した。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 95 (37), 1-6, 1995-05-18

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• 希土類添加半導体
• Er
• InP
• OMVPE
• TBP

詳細情報

• CRID: 1571417127333301120
• NII論文ID: 110003200207
• NII書誌ID: AN10012954
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles