(GaAs)_m(GaP)_n歪短周期超格子の格子緩和過程

• 高木 康文

  豊橋技術科学大学 工学部

• 左文字 克哉

  豊橋技術科学大学 工学部

• 岩城 和彦

  豊橋技術科学大学 工学部

• 大島 直樹

  豊橋技術科学大学 工学部

• 朴 康司

  豊橋技術科学大学 工学部

• 米津 宏雄

  豊橋技術科学大学 工学部

書誌事項

タイトル別名

• Lattice relaxaton process of a (GaAs)_m(GaP)_n strained short-period superlattice

抄録

GaP(100)just基板上にMBE法により(GaAs)_1(GaP)_3歪短周期超格子を成長し、RHEED、TEMおよびXRDを用いて格子緩和過程を調べた。その結果、(GaAs)_1(GaP)_3 SSPS層は2次元的に成長し、格子不整合はヘテロ界面にミスフィト転位が導入されることによって緩和されることが明らかになった。また、成長層の膜厚が500nmのとき格子緩和率は約50%であり、格子緩和は徐々に進行することも分かった。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 95 (37), 25-29, 1995-05-18

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• 歪短周期超格子
• ミスフィット転位
• 格子緩和

詳細情報

• CRID: 1570009752449742464
• NII論文ID: 110003200211
• NII書誌ID: AN10012954
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles