超高真空原子間力顕微鏡によるGaAs(110)劈開面の観察

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タイトル別名
  • Observation of Cleaved Surface of GaAs(110)with Ultrahigh Vacuum Atomic Force Microscope

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抄録

試料の劈開機構を有する超高真空原子間力顕微鏡を開発し、化合物半導体の劈開表面の観察を行った。具体的には、GaAs(110)劈開表面を取り上げ、原子的分解能で観察することに初めて成功した。また、得られた原子間力顕微鏡画像では、As原子に対応する起伏がおもに観察されていると考えられ、Ga原子は観察されているかどうかは現在のところ不明である。超高真空原子間力顕微鏡がダングリングボンドのある半導体表面を原子スケールで観察できることを示した。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1572261552262772864
  • NII論文ID
    110003200439
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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