Ga_xIn_<1-x>P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性

参考文献8件
  • 川本 武司
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
  • 伊藤 隆
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
  • 市田 正夫
    名古屋大学理工科学総合研究センター
  • 渡邉 修
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
  • 山川 市朗
    名古屋大学理工科学総合研究センター
  • 藤原 康文
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
  • 中村 新男
    名古屋大学理工科学総合研究センター
  • 竹田 美和
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Ga composition dependence of Er-related luminescence in Ga_xIn_<1-x>P:Er (0≦x≦1)

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抄録

OMVPE法により作製されたEr添加GaInP(GaInP:Er)において観測されるEr発光特性のGa組成依存性を系統的に調べた。GaPおよびInP基板上に成長したGaInPでは、Ga組成の増加に対してスペクトル形状の変化は見られないが、発光強度は増大した。この振舞いはEr発光寿命にも反映されており、Ga組成により発光効率が変化することが明らかになった。Er発光の温度消光はすべてのGaInP:Erにおいて観測された。その度合いはGa組成に依存し、Ga組成の増加に伴い温度消光は小さくなった。発光寿命の測定温度依存性をも踏まえて、Er発光機構について考察を行った。

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参考文献 (8)*注記

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キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1571980077286711040
  • NII論文ID
    110003200521
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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