単一電源HJFET MMIC

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タイトル別名
  • Hetero Junction FET and MMIC for Single Voltage Operation

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抄録

GaAsMMICの単一電源動作化のために、しきい値電圧が-0.1Vの疑似エンハンスメント型HJFETを開発した。このHJFETは極めて浅いしきい値電圧にも関わらず最大ドレイン電流370mA/mm、最大相互コンダクタンス350mS/mmとパワー素子用FETとして良好な性能示した。このHJFETを用いて単一電源動作PDC用パワーアンプMMICを設計、試作した。その結果、電源電圧3.4V単一電源、周波数950MHz、π/4QPSK信号入力、出力30.5dBm時に電力付加効率53.1%、隣接チャネル漏洩電力-48dBcの良好な性能を得た。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1571135652356565376
  • NII論文ID
    110003200551
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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