有機金属気相成長法によるGaP/InAs島/GaP(001)構造の作製

参考文献12件
  • 渕 真悟
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
  • 野々垣 陽一
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
  • 守屋 博光
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
  • 藤原 康文
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
  • 竹田 美和
    名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Fabrication of GaP/InAs islands/GaP (001) structures by organometallic vapor phase epitaxy

この論文をさがす

抄録

減圧有機金属気相エピタキシャル法(LP-OMVPE)によりGaP(001)上にInAs島の作製を行った。AFMを用いて、InAs島作製温度及びTMIn供給量に対する表面モフォロジーの変化を調べた。その結果、InAs島作製温度450℃、TMIn供給量0.3μmol/minの場合に、もっともサイズが小さくかつ高密度のInAs島が得られた。そのInAs島の高さは5nm、底面直径は30nmであった。このInAs島を用いGaP/InAs島/GaP構造を作製した。キャップ層に用いるGaPの最適成長温度とInAs島の最適作製温度の間に大きな温度差が存在するため、キャップ層の成長を行うにあたり3種類の異なる成長シーケンスを用いた。作製した試料の断面TEM観察を行った結果、キャップ層成長シーケンスが、埋め込まれたInAs島のサイズやキャップ層の結晶性に大きな影響を与えることがわかった。

収録刊行物

参考文献 (12)*注記

もっと見る

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570572702402637184
  • NII論文ID
    110003200619
  • NII書誌ID
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ