強誘電体キャパシタのプロセス劣化

• 田村 哲朗

  富士通(株)ULSI開発部

• 高井 一章

  富士通(株)ULSI開発部

• 松浦 克好

  富士通(株)ULSI開発部

• 芦田 裕

  富士通(株)ULSI開発部

• 近藤 和昭

  富士通(株)ULSI開発部

• 大谷 成元

  富士通(株)ULSI開発部

書誌事項

タイトル別名

• Process Degradation of a Ferroelectric Capacitor

抄録

強誘電体メモリに用いられる(Pb,La)(Zr,Ti)O_3(PLZT)などの材料は還元雰囲気下で容易に欠陥を生じ、残留分極が減少する。半導体プロセスでは、層間絶縁膜の成長ガス中に水素が含まれる他、絶縁膜中の水分が配線材料と反応して水素を発生し、キャパシタの特性劣化を招くことがわかった。これはデバイスの高集積化や、多層配線を用いる上での問題となる。従って、水素の発生を防ぐプロセスとともに、キャパシタの耐還元性を改善する必要がある。還元による残留分極の減少はヒステリシスの電圧シフトにより、インプリント特性と密接な関係がある。ゾルゲルPLZT膜を用いたキャパシタの場合、これらの特性は成膜条件による粒径制御、IrO_x電極の酸素アニールにより改善される。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 98 (590), 27-33, 1999-02-15

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• 強誘電体
• PLZT
• 層間絶縁膜
• 水素劣化
• インプリント特性

詳細情報

• CRID: 1570009752450097536
• NII論文ID: 110003200703
• NII書誌ID: AN10012954
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles