Boosted Gate MOS (BGMOS) : デバイスと回路の協調によるリークフリー回路の提案  [in Japanese] Boosted Gate MOS (BGMOS) : Leakage-Free Circuits by Device/Circuit Cooperation Scheme  [in Japanese]

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Abstract

将来のLSIが直面する問題の一つにスタンバイ消費電力の増大がある。本論文では、デバイスと回路の協調技術によってこの問題を解決する手法、Boosted Gate MOS(BGMOS)を提案する。本手法では、ゲート酸化膜が極めて薄く、闘値電圧が低いMOSFETによってCMOS回路部を構成することで、低電圧高速動作のトレンドを満たしつつ、ゲート酸化膜が厚く、闘値電圧が高いMOSFET(スイッチ)を直列に付加することで、スタンバイ時のリーク電流を極めて小さくする。ここで、アクティブ時にはスイッチを電源電圧より高いゲート電圧で駆動することによって、充分小さなエリアペナルティでCMOS回路部の高速動作を維持することを可能とする。本論文では、デバイスおよび回路シミュレーションによって本手法の有用性を検証するとともに、SRAMなどの他の要素回路への応用を検討する。

An increase of stand-by power is one of the most important issues in future LSI devices. In this paper, a new device/circuit cooperation scheme, Boosted Gate MOS(BGMOS), is proposed to achieve leakage free circuits. In the proposed scheme, CMOS circuits consist of MOSFETs with low V_<th> and ultra-thin oxide to obtain hign speed and low voltage operation. On the other hand, low leakage devices with hign V_<th> and thick oxide are inserted in series with CMOS circuits and driven by higher gate voltage to achieve extremely low stand-by power while maintaining small area penalty. The application of the proposed scheme to other components such as SRAMs is also discussed.

Journal

  • IEICE technical report. Electron devices

    IEICE technical report. Electron devices 100(266), 1-8, 2000-08-18

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  12

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110003201144
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10012954
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • ISSN
    09135685
  • NDL Article ID
    5482329
  • NDL Source Classification
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No.
    Z16-940
  • Data Source
    CJP  NDL  NII-ELS 
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