サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性  [in Japanese] Group III nitrides grown on R-plane sapphire with different off-angle : Off-angle dependence  [in Japanese]

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Author(s)

    • 本塩 彰 HONSHIO Akira
    • 名城大学大学院 理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^<st> Century COE "Nano-factory", Meijo University
    • 井村 将隆 IMURA Masataka
    • 名城大学大学院 理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^<st> Century COE "Nano-factory", Meijo University
    • 飯田 一喜 [他] IIDA Kazuyoshi
    • 名城大学大学院 理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^<st> Century COE "Nano-factory", Meijo University
    • 三宅 泰人 MIYAKE Yasuto
    • 名城大学大学院 理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^<st> Century COE "Nano-factory", Meijo University
    • 春日井 秀紀 KASUGAI Hideki
    • 名城大学大学院 理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^<st> Century COE "Nano-factory", Meijo University
    • 川島 毅士 KAWASHIMA Takeshi
    • 名城大学大学院 理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^<st> Century COE "Nano-factory", Meijo University
    • 津田 道信 TSUDA Michinobu
    • 名城大学大学院 理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^<st> Century COE "Nano-factory", Meijo University
    • 岩谷 素顕 IWAYA Motoaki
    • 名城大学大学院 理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^<st> Century COE "Nano-factory", Meijo University
    • 上山 智 KAMIYAMA Satoshi
    • 名城大学大学院 理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^<st> Century COE "Nano-factory", Meijo University
    • 天野 浩 AMANO Hiroshi
    • 名城大学大学院 理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^<st> Century COE "Nano-factory", Meijo University
    • 赤崎 勇 AKASAKI Isamu
    • 名城大学大学院 理工学研究科、21世紀COE"ナノファクトリー" Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^<st> Century COE "Nano-factory", Meijo University

Abstract

従来、サファイアR面基板上にGaNを成長させる場合、結晶性が比較的良好でかつ平坦な膜を得るために数十μm程度の厚膜成長が必要であった。本報告では、サファイア基板のオフ角を制御することによって、薄膜でも結晶性・平坦性の改善が可能であることを見出したので報告する。

Formerly, it was necessary to grow thick layers to obtain high quality GaN with a flat surface on R-plane sapphire substrate. We found that high-quality thin GaN layer with a flat surface can be grown on R-plane sapphire substrate by controlling the offset angle of the sapphire substrate.

Journal

  • IEICE technical report. Electron devices

    IEICE technical report. Electron devices 104(357), 1-5, 2004-10-21

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

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Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110003204987
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10012954
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    Journal Article
  • ISSN
    09135685
  • NDL Article ID
    7153379
  • NDL Source Classification
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No.
    Z16-940
  • Data Source
    CJP  CJPref  NDL  NII-ELS 
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