並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価  [in Japanese] Measurement of Standard Deviation for Threshold Voltage Using Parallel-Connected MOSFETs  [in Japanese]

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Abstract

MOSLSIの高集積化が進むに従い、MOSFET特性の標準偏差を簡単に評価する方法が重要になっている。本研究では、同一構造MOSFETを並列接続したものを1つのMOSFETのように取り扱うことによって、簡単にしきい値電圧の標準偏差を測定する方法を提案し、その実現可能性を調べる。

Journal

  • Proceedings of the IEICE General Conference

    Proceedings of the IEICE General Conference 1996年.エレクトロニクス(2), 134, 1996-03-11

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110003245388
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10471452
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    Journal Article
  • Data Source
    NII-ELS  IR 
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