C-11-2 垂直電界に関するバルクMOSFETとSOI-MOSFETの比較  [in Japanese] Comparizon on the vertical field betwen bulk MOSFET and SOI-MOSFET  [in Japanese]

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Author(s)

    • 黄 俐昭 Koh R
    • NECシリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, NEC Corporation
    • 竹内 潔 Takeuchi K
    • NECシリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, NEC Corporation
    • 最上 徹 Mogami T
    • NECシリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, NEC Corporation

Journal

  • Proceedings of the IEICE General Conference

    Proceedings of the IEICE General Conference 2002年_エレクトロニクス(2), 74, 2002-03-07

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110003262673
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10471452
  • Text Lang
    JPN
  • Data Source
    NII-ELS 
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