電荷移動錯体蒸着膜を用いた積層型電界効果素子の作製と評価

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タイトル別名
  • Fabrication and characterization of field effect transistor using stacked layers of charge transfer complexes

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抄録

電荷移動錯体TMTSF-TCNQを形成する、テトラメチルテトラセレナフルバレン (TMTSF : ドナー性分子) とテトラシアノキノジメタン (TCNQ : アクセプタ性分子) を用いて、積層構造の電界効果 (FET) 素子を作製し、積層膜界面に形成される錯体層の導電率をゲート電圧により制御することを試みた。TMTSF/TCNQ積層型FET素子では、ゲート電圧を変化させるとソース・ドレイン間電流に変化が現れ、その相互コンダクタンスは、それぞれ1層のものよりも大きかった。また、積層させる順番を逆にすると、ソース・ドレイン間電流ー電圧特性のゲート電圧依存性も逆転した。この現象はドナー、アクセプタ系の電気伝導特性を反映したものである。

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キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1571698602395834624
  • NII論文ID
    110003300748
  • NII書誌ID
    AN10013334
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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