弾性表面波/半導体結合デバイスの基礎的検討  [in Japanese] Basic study on SAW-semiconductor coupled device  [in Japanese]

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Author(s)

    • 須田 隆也 SUDA T.
    • 神奈川工科大学工学部 Dep. Electrical & Electronic Eng, Kanagawa Institute of Technology
    • 青木 裕介 AOKI Y.
    • 神奈川工科大学工学部 Dep. Electrical & Electronic Eng, Kanagawa Institute of Technology
    • 黄 啓新 KOH K.
    • 神奈川工科大学工学部 Dep. Electrical & Electronic Eng, Kanagawa Institute of Technology

Abstract

弾性表面波/半導体結合素子は、高機能あるいは新しい機能をもった素子を実現できる可能性がある。その中で、弾性表面波/半導体結合素子の非線形素子の一つであるSAWコンボルバについて、その高効率化と位相整合条件に因らないデバイスの基礎的検討を行った。その結果、タッピング電極、ショットキー接合を有するダイオードブリッジ構造のSAWコンボルバにおいて、効率がよく、位相整合条件に鈍感なデバイスを実現できた。

Surface acoustic wave (SAW) -semiconductor coupled devices are attractive for realization of high performance and new functional devices. In this paper, we report the basic study of SAW convolverefficiency in the points of non-linear effect of the interactions. And also, we have fabricated SAW devices with a high convolver efficiency and non-phase matching by using epitaxial lift off (ELO) film bonding process.

Journal

  • Technical report of IEICE. OME

    Technical report of IEICE. OME 100(167), 27-32, 2000-06-30

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  7

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110003301187
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10013334
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • ISSN
    09135685
  • NDL Article ID
    5480942
  • NDL Source Classification
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No.
    Z16-940
  • Data Source
    CJP  NDL  NII-ELS 
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