立方晶ナイトライドのMOVPE成長と評価

• 矢口 裕之

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 呉 軍

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 尾鍋 研太郎

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

書誌事項

タイトル別名

• MOVPE Growth and Characterization of Cubic Nitrides

抄録

より結晶性の高い立方晶ナイトライドの成長を行うために有機金属気相成長における成長条件について検討を行った。その検討に基づいて成長した高品質な立方晶ナイトライドをフォトルミネッセンスによって評価し, いくつかの発光ピークについてその起源を明らかにした。さらに, 立方晶GaN/AlGaNダブルヘテロ構造を作製し, 光励起による誘導放出を観測した。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス

  電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 98 (109), 73-78, 1998-06-16

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• 立方晶GaN
• 立方晶AlGaN
• MOVPE
• フォトルミネッセンス
• ラマン散乱
• 誘導放出

詳細情報

• CRID: 1571417127419076864
• NII論文ID: 110003307581
• NII書誌ID: AN10442705
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles