様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長  [in Japanese] Growth of GaN on 4H-SiC with different crystal planes  [in Japanese]

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Author(s)

    • 三宅 泰人 MIYAKE Yasuto
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^<st> Century COE "Nano-Factory", Meijo University
    • 本塩 彰 HONSHIO Akira
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^<st> Century COE "Nano-Factory", Meijo University
    • 北野 司 [他] KITANO Tsukasa
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^<st> Century COE "Nano-Factory", Meijo University
    • 井村 将隆 IMURA Masataka
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^<st> Century COE "Nano-Factory", Meijo University
    • 仲野 靖孝 NAKANO Kiyotaka
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^<st> Century COE "Nano-Factory", Meijo University
    • 春日井 秀紀 KASUGAI Hideki
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^<st> Century COE "Nano-Factory", Meijo University
    • 川島 毅士 KAWASHIMA Takeshi
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^<st> Century COE "Nano-Factory", Meijo University
    • 飯田 一喜 IIDA Kazuyoshi
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^<st> Century COE "Nano-Factory", Meijo University
    • 岩谷 素顕 IWAYA Motoaki
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^<st> Century COE "Nano-Factory", Meijo University
    • 上山 智 KAMIYAMA Satoshi
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^<st> Century COE "Nano-Factory", Meijo University
    • 天野 浩 AMANO Hiroshi
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^<st> Century COE "Nano-Factory", Meijo University
    • 赤崎 勇 AKASAKI Isamu
    • 名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21^<st> Century COE "Nano-Factory", Meijo University

Abstract

本研究では、MOVPE法を用いて、様々な面の4H-SiC基板上にGaNを成長させ,その結晶方位、表面平坦性、結晶性などについて研究を行った。その結果、実験を行った全ての面方位で基板とGaNのc軸の方位はそろって成長し、単結晶が得られた。また、X線回折によるGaN(0002)、(101^-0)のモザイク性は、 c軸候斜角に大きく依存していた。また、AlGaNのAlNモル分率や成長速度も依存することがわかった。

MOVPE growth of GaN and AlGaN on 4H-SiC having different planes were conducted. X-ray diffraction measurements showed that the GaN axis is exactly aligned with that of the SiC substrates. Strong dependence was observed for the FWHMs of X-ray rocking curves of GaN (0002) and (112^-0) diffraction on the tilting of the crystal planes.

Journal

  • Technical report of IEICE. LQE

    Technical report of IEICE. LQE 104(361), 7-11, 2004-10-21

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

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Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110003308826
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10442705
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • ISSN
    09135685
  • NDL Article ID
    7153809
  • NDL Source Classification
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No.
    Z16-940
  • Data Source
    CJP  NDL  NII-ELS 
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