液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用

• 李 祐植

• 大賀 涼

• 吉田 義浩

書誌事項

タイトル別名

• エキテキ ヘテロエピタキシーホウ ニ ヨル InP キバン ジョウ GaInAsP オヨビ AlInAs バッファーソウ エ ノ InAs リョウシ ドット ノ ケイセイ ト デンリュウ チュウニュウガタ デバイス エ ノ オウヨウ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 103 (49), 13-18, 2003-05-16

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 液滴ヘテロエピタキシー
• Droplet epitaxy
• InAs quantum dot

詳細情報

• CRID: 1520009408657194368
• NII論文ID: 110003175056
• NII論文ID: 110003308833
• NII論文ID: 110003175485
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 6618556
• NDL書誌ID: 6618126
• NDL書誌ID: 6618460
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6618556
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6618126
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6618460
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles