TiSi_2膜形成におけるSi表面アモルファス化の効果とSEDAM法  [in Japanese] Si-Surface Amorphization Effects and SEDAM Method for Low-Resistance TiSi_2 Film Formation  [in Japanese]

Search this Article

Author(s)

Abstract

微細CMOSのサリサイドプロセスで必要とされる低抵抗TiSi_2膜の形成に関して、イオン注入によるSi表面アモルファス化の効果を詳細に評価した。低抵抗TiSi_2膜形成が困難なAsで高濃度にドーピングされたSi上でのTiSi_2膜形成において、Ti膜堆積前にイオン注入でSi表面をアモルファス化することによって、低抵抗のTiSi_2膜を形成できた。それは、高抵抗相であるC49相から低抵抗相であるC54相への相転移が容易になるために実現でき、とくに、相転移の活性化エネルギーはアモルファス化により4.4eVから3.5eVに低下することを明らかにした。さらに、下地不純物の影響を抑制できるノンドープSi選択成長技術とSi表面アモルファス化技術を利用し、低抵抗TiSi_2膜を形成できるSEDAM(Selective Silicon Deposition and Subsequent Pre-Amorphization)法を開発した。

In this paper, the Si-surface amorphization effects were evaluated to form the low-resistance titanium silicide (TiSi_2) films for quarter-micron CMOS devices with self-aligned silicide (SALICIDE)process. It was found that the low-resistance TiSi_2 films were able to be formed on highly As-doped silicon by using the Si-surface amorphization technique before the titanium deposition. They were realized because of better C49-to-C54 phase transition, since the activation energy of its phase transition was decreased from 4.4eV to 3.5eV by the Si-surface amorphization. Furthermore, the SEDAM (Selective Silicon Deposition and Subsequent Pre-Amorphization) method was developed by using both of the undoped-silicon selective epitaxial growth technique, which could suppress the As-dopant concentration in the silicon surface, and the Si-surface amorphization technique.

Journal

  • Technical report of IEICE. SDM

    Technical report of IEICE. SDM 95(380), 77-83, 1995-11-22

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  12

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110003309699
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10013254
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • Data Source
    CJP  NII-ELS 
Page Top