TiSi_2膜形成におけるSi表面アモルファス化の効果とSEDAM法

参考文献12件

書誌事項

タイトル別名
  • Si-Surface Amorphization Effects and SEDAM Method for Low-Resistance TiSi_2 Film Formation

この論文をさがす

抄録

微細CMOSのサリサイドプロセスで必要とされる低抵抗TiSi_2膜の形成に関して、イオン注入によるSi表面アモルファス化の効果を詳細に評価した。低抵抗TiSi_2膜形成が困難なAsで高濃度にドーピングされたSi上でのTiSi_2膜形成において、Ti膜堆積前にイオン注入でSi表面をアモルファス化することによって、低抵抗のTiSi_2膜を形成できた。それは、高抵抗相であるC49相から低抵抗相であるC54相への相転移が容易になるために実現でき、とくに、相転移の活性化エネルギーはアモルファス化により4.4eVから3.5eVに低下することを明らかにした。さらに、下地不純物の影響を抑制できるノンドープSi選択成長技術とSi表面アモルファス化技術を利用し、低抵抗TiSi_2膜を形成できるSEDAM(Selective Silicon Deposition and Subsequent Pre-Amorphization)法を開発した。

収録刊行物

参考文献 (12)*注記

もっと見る

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570572702489365120
  • NII論文ID
    110003309699
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ