トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響

• 牛山 雅弘

  (株)日立製作所中央研究所ULSI研究部

• 三浦 英生

  (株)日立製作所機械研究所

• 八島 秀幸

  (株)日立製作所中央研究所ULSI研究部

• 足立 哲生

  (株)日立製作所半導体事業部

• 西本 敏明

  (株)日立製作所半導体事業部

• 小森 和宏

  (株)日立製作所半導体事業部

• 加藤 正高

  (株)日立製作所半導体事業部

• 久米 均

  (株)日立製作所中央研究所ULSI研究部

• 大路 譲

  (株)日立製作所半導体事業部

書誌事項

タイトル別名

• The Effect on the Tunnel Oxide Characteristics of Insulator Films on the Gate Electrode

抄録

MOSキャパシタのゲート電極上の絶縁膜がトンネル絶縁膜特性の高電界ストレス耐性に及ぼす影響について検討した。電極上のONO(SiO_2/Si_3N_4/SiO_2)膜形成においてSi_3N_4膜を高温酸化する際にトンネル絶縁膜中に電子捕獲中心が生成される。この高温酸化により多結晶シリコン電極中にテンサイルな応力が発生することから、トンネル絶縁膜中の電子捕獲中心の増大はトンネル絶縁膜にテンサイルな応力がかかり,絶縁膜中の結合が切れ易くなったためと考えられる。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 95 (10), 27-33, 1995-04-21

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• トンネル絶縁膜
• 電子捕獲中心
• 応力
• ONO膜
• ストレス耐性

詳細情報

• CRID: 1573387452256426112
• NII論文ID: 110003309709
• NII書誌ID: AN10013254
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles