フッ素及び励起窒素処理による酸化膜表面窒化プロセス

• 森 右京

  成蹊大学 工学部 電気電子工学科

• 瀧川 佳奈

  成蹊大学 工学部 電気電子工学科

• 齋藤 洋司

  成蹊大学 工学部 電気電子工学科

書誌事項

タイトル別名

• Surface nitridation process of silicon dioxide by fluorine and excited nitrogen treatment

抄録

集積回路中のpチャンネルMOSFETにおいて、多結晶シリコンゲート電極中のボロンが、薄い酸化膜を突き抜けてシリコン基板中に拡散し、MOSFETの閾値電圧を変動させる問題が生じている。現在、このボロンの拡散を抑制するために、シリコン酸化膜表面の窒化が要求されている。そこで我々は、酸化膜をフッ素処理した後、プラズマ励起した窒素中にさらす事で、シリコン酸化膜の表面窒化を行った。本論文では、表面窒化を行った酸化膜についての、窒素とフッ素の深さ方向濃度分布と、各元素の結合状態をX線光電子分光法で分析した。また、基板の表面形状を原子間力顕微鏡で調べた。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98 (64), 81-87, 1998-05-22

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• 酸化膜
• 表面窒化
• フッ素
• リモートプラズマ
• X線光電子分光法
• 原子間力顕微鏡

詳細情報

• CRID: 1572543027320281344
• NII論文ID: 110003310047
• NII書誌ID: AN10013254
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles