ストライプトゲート真性半導体チャネルSOI-MOSFETのしきい値制御に関するシミュレーション

• 黄 俐昭

• 最上 徹

書誌事項

タイトル別名

• ストライプト ゲート シンセイ ハンドウタイ チャネル SOI MOSFET ノ シキイチ セイギョ ニ カンスル シミュレーション
• MOSデバイス,SOI基板/デバイス技術
• MOS デバイス SOI キバン デバイス ギジュツ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 99 (681), 37-44, 2000-03-13

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• MOS
• FET
• しきい値電圧
• 移動度
• メタルゲート
• threshold voltage
• mobility
• metal gate

詳細情報

• CRID: 1520853835219497472
• NII論文ID: 110003310527
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 5358743
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5358743
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles