p-MOSFETのための原子層成長Si窒化膜/SiO2スタックゲート絶縁膜の研究

• 吉元 隆史

• 木寺 俊郎

• Quazi D.M. Khosru

書誌事項

タイトル別名

• p MOSFET ノ タメ ノ ゲンシソウ セイチョウ Si チッカ マク SiO2 スタックゲート ゼツエン マク ノ ケンキュウ
• ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術
• ゲート ゼツエン マク ヨウリョウ マク キノウ マク オヨビ メモリ ギジュツ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 101 (107), 37-41, 2001-06-07

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• ゲート絶縁膜
• 原子層堆積
• ボロン突き抜け
• Dielectrics
• Silicon-nitride
• Atomic-layer-deposition
• Boron penetration

詳細情報

• CRID: 1520290883026383616
• NII論文ID: 110003310808
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 5835704
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5835704
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles