Side-Wall電極型PECVDによるSiナノドットメモリ

• 市川 和典

• 向 正人

• P. Punchaipetch

Bibliographic Information

Other Title

• Side Wall デンキョクガタ PECVD ニ ヨル Si ナノドットメモリ
• 特集:シリコン関連材料の作製と評価
• トクシュウ シリコン カンレン ザイリョウ ノ サクセイ ト ヒョウカ

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 104 (510), 81-86, 2004-12-16

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• Siナノクリスタルドット
• フローティングゲートメモリ
• PECVD
• 量子効果
• Si nano-crystal dot
• Floating gate memory
• Quantum-effect

Details

• CRID: 1520009409040783104
• NII Article ID: 110003311202
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 7222839
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/7222839
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7222839
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN