光照射下におけるSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの電荷注入・放出特性

• 柴口 拓

• 池田 弥央

• 東 清一郎

書誌事項

タイトル別名

• ヒカリ ショウシャ カ ニ オケル Si リョウシ ドットフローティングゲート MOS キャパシタ ノ デンカ チュウニュウ ホウシュツ トクセイ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 104 (713), 63-66, 2005-03-11

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• シリコン量子ドット
• MOSメモリ
• クーロンブロッケイド
• silicon quantum dot
• MOS memory
• floating gate
• Coulomb blockade

詳細情報

• CRID: 1520290882304668928
• NII論文ID: 110003311257
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 7356385
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/7356385
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7356385
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles