並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価  [in Japanese] Measurement of Standard Deviation for Threshold Voltage Using Parallel-Connecten MOSFETs  [in Japanese]

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Author(s)

    • 最上 徹 MOGAMI Toru
    • 日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation

Abstract

大量の同一構造MOSFETを並列接続したテスト回路を用いて,しきい値電圧の標準偏差を簡単に測定する方法を提案している.このテスト回路を一つのMOSFETとみなし,そのドレーン電流とゲート電圧の関係からしきい値電圧を抽出すると,その値は同回路に含まれるすべてのMOSFETのしきい値電圧の平均値よりも標準偏差に関係した量だけ異なる値を示す.このことを利用すると,MOSFETのしきい値電圧標準偏差を簡単に測定することができる.本論文はその測定原理,単体MOSFETを用いたその実験的確認,そして精度に関する議論を述べている.

Journal

  • The Transactions of the Institute of Electronics,Information and Communication Engineers. C-(0xF9C2)

    The Transactions of the Institute of Electronics,Information and Communication Engineers. C-(0xF9C2) 00079(00011), 691-697, 1996-11-25

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  7

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110003314865
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10071294
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • ISSN
    09151907
  • NDL Article ID
    4087176
  • NDL Source Classification
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No.
    Z16-1852
  • Data Source
    CJP  NDL  NII-ELS  IR 
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