Measurement of Standard Deviation for Threshold Voltage Using Parallel-Connected MOSFETs

• 寺田, 和夫

• 最上, 徹

• TERADA, Kazuo

• MOGAMI, Toru

Bibliographic Information

Other Title

• 並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
• ヘイレツ セツゾク MOSFET オ モチイタ シキイチ デンアツ ヒョウジュ

Abstract

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大量の同一構造MOSFETを並列接続したテスト回路を用いて,しきい値電圧の標準偏差を簡単に測定する方法を提案している.このテスト回路を一つのMOSFETとみなし,そのドレーン電流とゲート電圧の関係からしきい値電圧を抽出すると,その値は同回路に含まれるすべてのMOSFETのしきい値電圧の平均値よりも標準偏差に関係した量だけ異なる値を示す.このことを利用すると,MOSFETのしきい値電圧標準偏差を簡単に測定することができる.本論文はその測定原理,単体MOSFETを用いたその実験的確認,そして精度に関する議論を述べている.

Journal

• 電子情報通信学会論文誌. C-II, エレクトロニクス, II-電子素子・応用

  電子情報通信学会論文誌. C-II, エレクトロニクス, II-電子素子・応用 J79-C2 (11), 691-697, 1996-11-25

  電子情報通信学会

Details

• CRID: 1050015111530104832
• NII Article ID: 110003245388
• NII Article ID: 110003314865
• NII Book ID: AN10071294
• ISSN: 09151907
• NDL BIB ID: 4087176
• Web Site: https://hiroshima-cu.repo.nii.ac.jp/records/1219
• Web Site: https://hiroshima-cu.repo.nii.ac.jp/records/1194
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I4087176
• Text Lang: ja
• Article Type: journal article
• Data Source:
  • IRDB
  • NDL
  • CiNii Articles