サブクォータミクロン世代のCMOS素子に対応したTiサリサイドとCoサリサイドプロセスの比較評価  [in Japanese] Comparative Evaluation of Ti Salicide and Co Salicide Processes for Sub-quarter-micron CMOS Devices  [in Japanese]

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Author(s)

    • 角 博文 SUMI Hirofumi
    • ソニー株式会社セミコンダクターカンパニーシステムLSI部門プロセス開発部 Process Development Div. , System LSI Dept. , Semiconductor Company, Sony Corporation
    • 田島 和浩 TAJIMA Kazuhiro
    • ソニー株式会社セミコンダクターカンパニーシステムLSI部門プロセス開発部 Process Development Div. , System LSI Dept. , Semiconductor Company, Sony Corporation
    • 末永 淳 [他] SUENAGA Jun
    • ソニー株式会社セミコンダクターカンパニーシステムLSI部門プロセス開発部 Process Development Div. , System LSI Dept. , Semiconductor Company, Sony Corporation
    • 針渕 英男 HARIFUCHI Hideo
    • ソニー株式会社セミコンダクターカンパニーシステムLSI部門プロセス開発部 Process Development Div. , System LSI Dept. , Semiconductor Company, Sony Corporation
    • 岡本 裕 OKAMOTO Yutaka
    • ソニー株式会社セミコンダクターカンパニーシステムLSI部門プロセス開発部 Process Development Div. , System LSI Dept. , Semiconductor Company, Sony Corporation

Abstract

最適化されたTiサリサイドとCoサリサイドプロセスの比較評価を行った.プリアモルファス化プロセス若しくはインタミキシングプロセスでTiサリサイドを形成すると細線効果を抑制できるが, インタミキシングプロセスで形成したトランジスタのしきい値電圧は不安定になるので, プリアモルファス化プロセスの方が優れている.一方, Coサリサイドプロセスはプリアモルファス化プロセスを用いなくても細線効果は生じない.CoSi_2上に接続孔を形成するとき, CoSi_2はTiSi_2に比べてエッチングされにくいが, Arイオンスパッタエッチングに対する耐性がTisi_2に比べて低い.トランジスタプロセスに適用する場合, 接続孔内の前処理としてICPソフトエッチングを用いるとCoSi_2に対するアタックが小さく安定したコンタクト特性が得られる.

Journal

  • The Transactions of the Institute of Electronics,Information and Communication Engineers. C-(0xF9C2)

    The Transactions of the Institute of Electronics,Information and Communication Engineers. C-(0xF9C2) 00081(00003), 307-312, 1998-03

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  6

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110003314942
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10071294
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • ISSN
    09151907
  • NDL Article ID
    4436457
  • NDL Source Classification
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No.
    Z16-1852
  • Data Source
    CJP  NDL  NII-ELS 
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