0.25μm SIMOX/MTCMOS技術による290Kゲート、1V、100MHz動作ULSIの設計  [in Japanese] 290K-Gate, 1V, 100MHz ULSI using 0.25μm SIMOX/MTCMOS Technology  [in Japanese]

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Abstract

携帯機器の需要増加の中で低電力回路技術が多く研究されている. またプロセス微細化の動きもLSIの高速・低電力化を進めている. このような動きの中, 我々は0.25μm SIMOX/MTCMOS技術を開発し, 1V動作, 290Kゲート規模の高速ULSIを試作した. その評価の結果, 電源電圧1.2Vで, 0.5μm CMOS 3.3V動作LSIを上回る100MHz動作とレベル変換I/O回路込みで1/6の低電力化を実現した. 本報告では0.25μm SIMOX/MTCMOS LSI技術について, 高速化, 大規模化, 外部インタフェース実現に向けた回路及び設計技術を紹介する. また試作LSIの設計・評価を通じて, 従来技術との比較を論じる.

A 1V power supply low-power high-speed ULSI technorogy has been deveroped using a quater-micron SlMOX/MTCMOS device. At 1.2V supplied, the gate delay time is 2/3, and power consumption is 1/10 of 0.5μm standard CMOS (3.3V supplied). New circuit and design technique was proposed for high speed and large scale circuits, and interface for 3.3V I/O data. A 290K-gate test LSI with 3.3V interface I/O circuit was fabricated. A performance of 100MHz was achieved at 1.2V, and power consumption within level coverter of I/O circuit was 1/6 of 0.5μm standard CMOS at 3.3V.

Journal

  • Technical report of IEICE. ICD

    Technical report of IEICE. ICD 97(111), 9-16, 1997-06-20

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  9

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110003316603
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10013276
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • Data Source
    CJP  NII-ELS 
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