フレキシブルマッピングリダンダンシ技術とアディショナルリフレッシュ方式を採用した 1.6GByte/s 72Mb DRAM  [in Japanese] A 1.6GByte/s DRAM with Flexible Mapping Redundancy Technique and Additional Refresh Scheme  [in Japanese]

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Author(s)

    • 伊藤 洋 ITO Hiroshi
    • (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Semiconductor Company
    • 高瀬 覚 TAKASE Satoru
    • (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Semiconductor Company
    • 串山 夏樹 KUSHIYAMA Natsuki
    • (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Semiconductor Company

Abstract

非独立16バンク構成、ダイレクトラムバスインターフェースを用いたバンド幅1.6GByte/sの72Mb DRAMを開発した。スペアエレメントとヒューズセットの対応を全く独立にするマルチバンク構成のDRAMに適したフレキシブルマッピングリダンダンシ技術を採用することによって、従来のリダンダンシ方式を用いるの比べ、13%のチップ面積の削減が実現できた。また、リフレッシュ周期を長くし、データ保持能力の弱いセルだけを付加的にリフレッシュするアディショナルリフレッシュ方式を用いることによって、0.6%のチップ面積増でリフレッシュ電流を約1/4まで低減できた。

This paper describes the two circuit technologies adopted for a 1,6GByte/s 72Mb Direct RDRAM with 16 independent bank architecture. "Flexible Mapping Redundancy Technique" suits for multi-bank, multi-bit memory, because flexible relationship between spare element and fuse-set allows to reduce the number of fuse-set. This achieved 13% smaller chip size for the DRAM with 16 banks than the conventional 1-to-1 redundancy. Also, it is introduced "Additional Refresh Scheme" which use longer refresh period and add the refresh operation only for weak cells. With this scheme, the refresh current of the DRAM is reduced to about 1/4 with 0.6% area penalty.

Journal

  • Technical report of IEICE. ICD

    Technical report of IEICE. ICD 99(93), 1-7, 1999-05-27

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  2

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110003317434
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10013276
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • ISSN
    09135685
  • NDL Article ID
    4759578
  • NDL Source Classification
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No.
    Z16-940
  • Data Source
    CJP  NDL  NII-ELS 
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