静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの消費電力モデル

• 秋濃 俊郎

• 永田 真

• 吉山 貴典

書誌事項

タイトル別名

• セイテキ キバン バイアス インカ ドミノ CMOS カイロ ニ モトヅク スーパーセル ノ ショウヒ デンリョク モデル

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 101 (468), 1-6, 2001-11-30

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 閾値電圧
• タイミング収束
• substrate-bias
• threshold voltage
• domino CMOS circuit
• timing closure
• super-cell

詳細情報

• CRID: 1520009408707770112
• NII論文ID: 110003295257
• NII論文ID: 110003317963
• NII論文ID: 110003194489
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 6011969
• NDL書誌ID: 6012049
• NDL書誌ID: 6011843
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/6011969
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6011969
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/6012049
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6012049
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6011843
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles