50%高効率3.5V動作CDMA用1W高出力ヘテロ接合FET

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  • 50% High Efficiency 1W Power Heterojunction FET for 3.5V CDMA Cellular Phones

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抄録

携帯電話の周波数利用効率の向上や高速データ通信を目的とした符号分割多元接続(CDMA)方式の導入が検討されている。CDMA方式ではアメリカや韓国のIS-95規格での実用化が先行している。CDMA方式では送信電力の可変制御範囲が80dBと広く、この全範囲にわたって低歪高効率動作が求められる。今回、狭いリセス構造を有するグブルド-プダブルヘテロ接合FET(HJFET)を試作し、950MHzにおけるIS-95規格に準拠した出力特性を評価したので報告する。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1571417127358060160
  • NII論文ID
    110003340815
  • NII書誌ID
    AN10489017
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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