ハイブリッド量子分子動力学法を用いたアモルファスシリコン基板へのドーピングプロセスの解析

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タイトル別名
  • Computational Analysis about Doping Process into Preamorphized Silicon Substrate by using Hybrid Quantum Chemical Molecular Dynamics Method

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抄録

低エネルギーイオン注入法による極浅p^+/n接合面の形成は、半導体デバイス製造プロセスに欠かせないものとなっている。本研究では、低エネルギーイオン注入法による極浅p^+/n接合形成プロセスにおける原子ダイナミクスを解明するために、当研究室独自に開発した数千原子からなる大規模系の計算を可能とするハイブリッド量子分子動力学計算プログラムを用いて、プリアモルファス化したシリコン基板へのドーパント注入シミュレーションを行った。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570572702482578304
  • NII論文ID
    110003500527
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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