Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響

• 澤田 孝幸

• 米田 里志

• 高橋 健輔

書誌事項

タイトル別名

• Ni i AlGaN GaN ゲート コウゾウ ノ デンキテキ トクセイ ヒョウカ ト ネツ ショリ ノ エイキョウ
• 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ) ; 特別セッションテーマ:GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?
• チッカブツ ハンドウタイ ヒカリ デンシ デバイス ザイリョウ オヨビ カンレン ギジュツ オヨビ イッパン チッカブツ ハンドウタイ コクサイ ワークショップ ; トクベツ セッションテーマ GaN デンシ デバイス ワ ドコ マデ トクセイ オ ノバス ノ カ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 105 (325), 79-84, 2005-10-13

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• GaN
• AlGaN/GaNヘテロ構造
• ショットキー
• 熱処理
• 電気的特性
• AlGaN/GaN Heterostructure
• Schottky
• Thermal Annealing
• Electrical Properties

詳細情報

• CRID: 1520009408867264384
• NII論文ID: 110003499857
• NII論文ID: 110003501700
• NII論文ID: 110003501729
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 7698411
• NDL書誌ID: 7699475
• NDL書誌ID: 7699140
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/7698411
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7698411
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/7699475
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7699475
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/7699140
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7699140
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN