６４×６４画素２層構造ＩｎＳｂ‐ＩＲＣＣＤ

• 角田 令吉

  防衛庁技術研究本部

• 管野 俊雄

  防衛庁技術研究本部

• 辻 尊文

  株式会社東芝総合研究所

• 白水 俊次

  株式会社東芝総合研究所

• 原田 望

  株式会社東芝総合研究所

• 相原 敏

  株式会社東芝小向工場

• 佐渡 哲夫

  株式会社東芝小向工場

書誌事項

タイトル別名

• 64*64 Pixel two-layer structure InSb-IRCCD.
• 64 64 ガソ 2ソウ コウゾウ InSb-IRCCD

抄録

A 64×64 pixel InSb-IRCCD with a two-layer structure is developed. It is constructed with a back-illuminated InSb p⁺n photodiode array and a buried p-channel Si-CCD. The photodiode array was manufactured using ion-implantation and anodic oxide/sputtered A1₂O₃ double layer passivation processes, by which R₀A values of more than 1×10⁵ Ωcm² were obtained.<BR>The photodiode array, polished to 20μm thickness, and the CCD are interconnected by a special In-bump technique involving electroplating and reforming to conical shapes, which assures complete electrical connections.<BR>Signal charges in the CCD storage gate containing the background ingredient, are par titioned to two parts or skimmed. By these techniques, CCD gate capacities are minimized. The output signals are corrected to form the IR image.<BR>Good system linearities, where γ=1.00±0.01, and excellent responses, D*_λpeak=6.0×10¹¹ cm Hz^1/2 w^-1 and NETD=0.05-0.06 deg, have been obtained. Crosstalk was decreased by thinning the photodiode and MTFs were improved.

収録刊行物

• テレビジョン学会誌

  テレビジョン学会誌 42 (5), 484-492, 1988

  一般社団法人 映像情報メディア学会

キーワード

• General Engineering

詳細情報

• CRID: 1390001205097191040
• NII論文ID: 110003676499
• NII書誌ID: AN00151466
• DOI: 10.3169/itej1978.42.484
• ISSN: 18849652
• ISSN: 03866831
• NDL書誌ID: 3184723
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I3184723
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/itej1978/42/5/42_5_484/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可