単層ポリシリコン電極を採用した高感度１／４型（対角４．５ｍｍ）３６万画素ＦＴ‐ＣＣＤイメージセンサ

• 岡田 吉弘

  三洋電機株式会社セミコンダクターカンパニーMOS-LSI事業部

• 大鶴 雄三

  三洋電機株式会社セミコンダクターカンパニーMOS-LSI事業部

• 伊澤 慎一郎

  三洋電機株式会社セミコンダクターカンパニーMOS-LSI事業部

• 田井野 伸泰

  三洋電機株式会社セミコンダクターカンパニーMOS-LSI事業部

• 浜田 稔

  三洋電機株式会社セミコンダクターカンパニーMOS-LSI事業部

書誌事項

タイトル別名

• A high Sensitivity 1/4-type (Diagonal 4.5mm) 360 k-pixel FT-CCD Image Sensor with a Single-layer Poly-silicon Electrode.
• タンソウ ポリシリコン デンキョク オ サイヨウ シタ コウカンド 1 4ガタ タイカク 4 5mm 36マン ガソ FT CCD イメージセンサ

抄録

We experimentally fabricated a frame transfer CCD (FT-CCD) image sensor for Recommendation ITU-R BT, 601 with a single-layer poly-silicon electrode structure.We set the gap to 0.45 pm to balance charge-handling capability against optical sensitivity. We optimized the membrane structure to improve optical sensitivity. We sandwiched the poly-silicon gate between two silicon-nitride layers with a high refractive index to suppress reflection on the poly-silicon surface. The sensitivity was improved 40% with this structure. An FT-CCD image sensor constructed using this new structure is very simple and has high performance.

収録刊行物

• 映像情報メディア学会誌

  映像情報メディア学会誌 54 (2), 204-209, 2000

  一般社団法人 映像情報メディア学会

キーワード

• 単層ポリシリコン電極
• 薄膜
• 多重膜干渉

詳細情報

• CRID: 1390001205097361280
• NII論文ID: 110003692729
• NII書誌ID: AN10588970
• DOI: 10.3169/itej.54.204
• ISSN: 18816908
• ISSN: 13426907
• NDL書誌ID: 5289168
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5289168
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/itej1997/54/2/54_2_204/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可