リソグラフィ用ＥＵＶ（極端紫外）光源研究の現状と将来展望　２．　　ＥＵＶリソグラフィと露光装置

• 村上 勝彦

  (株)ニコン 精機カンパニー

• 岡崎 信次

  技術研究組合 超先端電子技術開発機構

書誌事項

タイトル別名

• EUV Lithography and Exposure Tool.
• EUVリソグラフィと露光装置
• EUV リソグラフィ ト ロコウ ソウチ

抄録

The resolution limit of conventional optical lithography is thought to be around 70 nm. EUV lithography using EUV radiation with a wavelength region of 10 to 14 nm can break through this limitation and can achieve a resolution of below 50 nm. EUV employs reflection-type optics involving multilayer mirrors. Wafers are exposed in a vacuum and reflection-type masks are used. Chemically amplified photoresist materials used for KrF lithography can be applied to EUV lithography. The required EUV power from an EUV source for a throughput of over 100 wph is estimated to be about 80 to 120 W.

収録刊行物

• プラズマ・核融合学会誌

  プラズマ・核融合学会誌 79 (3), 221-225, 2003

  社団法人 プラズマ・核融合学会

キーワード

• EUV lithography
• multilayer
• projection optics
• reflection mask
• photoresist
• throughput
• EUV power

詳細情報

• CRID: 1390282681489324544
• NII論文ID: 110003825336
• NII書誌ID: AN10401672
• DOI: 10.1585/jspf.79.221
• COI: 1:CAS:528:DC%2BD3sXjvVGnsLg%3D
• NDL書誌ID: 6519568
• ISSN: 09187928
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6519568
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/jspf/79/3/79_3_221/_pdf
• Web Site: http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/10455270
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • NDL-Digital
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可