Low Contact-Resistance and Shallow Pd/Ge Ohmic Contacts to n-In 0.53Ga 0.47As on InP Substrate Formed by Rapid Thermal Annealing

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抄録

Shallow Pd/Ge ohmic contacts to n-type In0.53Ga0.47As with low specific contact resistivity are obtained by the rapid thermal annealing method. For samples annealed at 425°C for 30 s, the lowest resistivity value is 6.66×10-8 Ω·cm2 and the average value is 1.4×10-6 Ω·cm2. For samples annealed at 425°C for 60 s, the lowest resistivity value is 2.13×10-7 Ω·cm2 and the average value is 8.6×10-7 Ω·cm2. Secondary ion mass spectrometry (SIMS) analysis shows that the ohmic contact is very shallow. It is found that there is a correlation between gallium and indium SIMS signal bumps and good ohmic contact behavior.

収録刊行物

  • Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters

    Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 35(12A), L1569-L1571, 1996-12-01

    社団法人応用物理学会

参考文献:  13件中 1-13件 を表示

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    DOI 被引用文献4件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    110003924892
  • NII書誌ID(NCID)
    AA10650595
  • 本文言語コード
    EN
  • 資料種別
    ART
  • 雑誌種別
    大学紀要
  • ISSN
    0021-4922
  • NDL 記事登録ID
    4098783
  • NDL 雑誌分類
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL 請求記号
    Z54-J337
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  NII-ELS  J-STAGE  JSAP 
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