Formation of [111] Preferentially Oriented Cu Layer on [110] Nb Barrier on SiO2

• Md. Maniruzzaman

• Mayumi B. Takeyama

• Atsushi Noya

書誌事項

タイトル別名

• Formation of 111 Preferentially Oriented Cu Layer on 110 Nb Barrier on SiO2
• AWAD2002(Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)
• AWAD2002 Asia Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 102 (178), 111-114, 2002-07-01

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• metallization
• diffusion barrier
• preferred orientation
• copper
• niobium

詳細情報

• CRID: 1520009408015589888
• NII論文ID: 110003311447
• NII論文ID: 110004027039
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 6267931
• NDL書誌ID: 6267848
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6267931
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6267848
• 本文言語コード: en
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles