26pYK-2 種々のゲート絶縁膜上に形成したフラーレンFETデバイスの特性(FET,領域7(分子性固体・有機導体))

DOI

書誌事項

タイトル別名
  • 26pYK-2 Electronic properties of fullerene FET devices with various gate insulators

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001206001016960
  • NII論文ID
    110004537118
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.60.1.4.0_802_1
  • ISSN
    21890803
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ