21pXA-3 溶液プロセスによるフラーレン系電界効果デバイスの作製とFET特性(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))

• 久保園 芳博

  CREST

• 草井 悠

  岡山大理

• 高口 豊

  岡山大環理工

• 酒向 祐輝

  JAIST

• 今井 久美子

  CREST

• 長野 高之

  CREST

• 藤原 明比古

  CREST

書誌事項

タイトル別名

• 21pXA-3 Fabrication and characterization of field-effect transistor devices with fullerene related materials by solution process

収録刊行物

• 日本物理学会講演概要集

  日本物理学会講演概要集 60.2.4 (0), 708-, 2005

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390282680979522048
• NII論文ID: 110004559629
• DOI: 10.11316/jpsgaiyo.60.2.4.0_708_3
• ISSN: 21890803
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles