CS-5-7 Cat-CVD法により作製した窒化シリコン膜の特性とデバイス応用(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)

• 増田 淳

  国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科 (現)独立行政法人産業技術総合研究所・太陽光発電研究センター

• 梅本 宏信

  国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科

• 松村 英樹

  国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科

書誌事項

タイトル別名

• CS-5-7 Properties and device applications of SiNx films prepared by Cat-CVD

収録刊行物

• 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集

  電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2005 (2), "S-13"-"S-14", 2005-09-07

  一般社団法人電子情報通信学会

詳細情報

• CRID: 1571698601919811968
• NII論文ID: 110004744823
• NII書誌ID: AN10489017
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles