SiCパワー半導体デバイスの開発動向（キーノートスピーチ）

• 四戸 孝

  東芝　研究開発センター

書誌事項

タイトル別名

• Progress in SiC Power Semiconductor Devices
• Invited: Progress in SiC Power Semiconductor Devices

抄録

炭化珪素(SiC)はSiの約10倍の絶縁破壊電界強度を持ち、高耐圧·低損失の次世代パワーデバイス材料として期待されている。既にSBD(Schottky Barrier Diode)が製品化されて電源に組み込まれ始めており、スイッチングデバイスの研究開発も多くの研究機関や企業で活発に行われている。本講演では、実用化へ向けて着実に進展しているSiCパワー半導体デバイスの研究開発の現状と今後の展開について紹介する。

収録刊行物

• 精密工学会学術講演会講演論文集

  精密工学会学術講演会講演論文集 2006S (0), 541-542, 2006

  公益社団法人 精密工学会

キーワード

• SBD
• PiN
• MOSEFT
• JFET
• Transistor

詳細情報

• CRID: 1390282680628988672
• NII論文ID: 110004840425
• NII論文ID: 110004813189
• NII論文ID: 130005027468
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• DOI: 10.11522/pscjspe.2006s.0.541.0
• NDL書誌ID: 8016440
• NDL書誌ID: 8015438
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8016440
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8015438
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可