逆回復特性と空乏層蓄積電荷を考慮したパワー・ダイオードモデルについての一検討  [in Japanese] A Study of the Power-Diode Model in Consideration of Reverse Recovery and Depletion Layer Charge  [in Japanese]

半導体パワーデバイスを用いたスイッチング回路において,ダイオードの逆回復現象は回路の損失を増大させ,高速なスイッチングを制限する原因となる.このため,ダイオードの逆回復特性のモデリングを行い,評価することは,回路設計において重要である.本稿では,種々のバイアス条件及び電流変化率に対して測定したパワー・ダイオードの逆回復特性と,別途測定した容量-電圧特性から,空乏層への電荷の出入りについて考察し,これをもとに逆回復特性のモデリングに向けた検討を行う.

In the switching circuits using power semiconductor devices, the reverse recovery of diodes produces an increase in the power dissipation in circuits and limits their switching speed. For this reason, it is important to model the reverse recovery characteristics and to evaluate them. In this article, the charge in power-diode's depletion layer is obtained from reverse recovery characteristics under various bias conditions or current changing rates, and compared with that from capacitance-voltage characteristic measured separately. Then, the authors discuss the diode model on the basis of the measured characteristics.