Crystal Structure of Epitaxial Co Thin Film Grown on Al_2O_3(0001) Substrate

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抄録

The effects of substrate temperature and buffer layer material on the crystal structure of Co thin film epitaxially grown on Al_2O_3(0001) substrate were investigated. The substrate temperature was varied in a range between 30℃ and 400℃. Co films grown directly on Al_2O_3(0001) substrates consist of a mixture of fcc and hcp phases with stacking faults. An fcc-Co single crystal film was obtained when a Cu buffer layer was introduced, while on an Au buffer layer an hcp-Co single crystal film grew at a substrate temperature of 300℃.

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録

    電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録 106(335), 47-48, 2006-11-02

    一般社団法人電子情報通信学会

参考文献:  8件中 1-8件 を表示

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    110005717312
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10013050
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌  NII-ELS 
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