01aA07 Na系フラックスを用いたGaN単結晶育成における準安定領域の調査(半導体バルク(2),第36回結晶成長国内会議)

• 森下 昌紀

  阪大院・工

• 下條 亮平

  阪大院・工

• 川原 実

  阪大院・工

• 川村 史朗

  阪大院・工

• 吉村 政志

  阪大院・工

• 森 勇介

  阪大院・工

• 佐々木 孝友

  阪大院・工

書誌事項

タイトル別名

• 01aA07 Investigation of the metastable zone in the growth of GaN single crystals using Na-based flux(NCCG-36)

抄録

In the LPE growth of GaN single crystals using Na-based flux, frequent nucleation generated on the crucible is the most important problem. In this study, we investigated the metastable zone in which the nucleation does not occur except on the seed crystal.

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 33 (4), 183-, 2006

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390001205896913024
• NII論文ID: 110006208451
• NII書誌ID: AN00188386
• DOI: 10.19009/jjacg.33.4_183
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可