01aA09 Liフラックスを用いた2H-SiC結晶の液相成長(半導体バルク(2),第36回結晶成長国内会議)

• 小椋 隆史

  阪大院・工

• 今出 完

  阪大院・工

• 川村 史朗

  阪大院・工

• 吉村 政志

  阪大院・工

• 北岡 康夫

  阪大院・工

• 森 勇介

  阪大院・工

• 佐々木 孝友

  阪大院・工

書誌事項

タイトル別名

• 01aA09 Growth of 2H-SiC crystals using Li flux(NCCG-36)

抄録

2H-SiC is an attractive material in the field of high-power devices due to the excellent properties such as the energy band gap widest among all polytypes and so on. The growth of 2H-SiC crystals requires the flux with low melting point since 2H-SiC is more stable at low temperature. We succeeded the solution growth of 2H-SiC using Li flux.

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 33 (4), 185-, 2006

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390282680873629312
• NII論文ID: 110006208453
• NII書誌ID: AN00188386
• DOI: 10.19009/jjacg.33.4_185
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可