01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)

• 寒川 義裕

• 松尾 有里子

  九州大学応用力学研究所

• 秋山 亨

  三重大学工学部

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 柿本 浩一

  九州大学応用力学研究所

書誌事項

タイトル別名

• 01aB11 Theoretical investigation of initial growth process of GaN on GaN(001)(NCCG-36)

抄録

We carried out theoretical analyses based on the ab initio calculations incorporates free energy of vapor phase in order to find the initial growth process of cubic GaN in GaN(001)-(4x1). The results suggest that N attached structure appears at the initial growth stage, and then Ga adsorbs on the N attached GaN(001)-(4x1) surface. Considering these process, we performed Monte Carlo simulations. The results imply that maximum point of Ga coverage after 1/32 monolayer supply shifted toward Ga-rich condition from V/III=1.0.

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 33 (4), 207-, 2006

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390001205896759936
• NII論文ID: 110006208475
• NII書誌ID: AN00188386
• DOI: 10.19009/jjacg.33.4_207
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可