過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価

• 福島 圭亮

• 加藤 正史

• 市村 正也

書誌事項

タイトル別名

• カジョウ キャリア ライフタイム ソクテイ ニ ヨル GaN ノ プラズマ エッチング ダメージ ノ カイセキ ト アニール コウカ ノ ヒョウカ
• Analysis of plasma etching damages and characterization of annealing effects on GaN by excess carrier measurements
• 電子部品・材料
• デンシ ブヒン ザイリョウ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107 (55), 23-28, 2007-05

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 窒化ガリウム
• キャリアライフタイム
• μ-PCD法
• ICP
• 減衰曲線
• 温度依存
• アニール
• Gallium nitride
• carrier lifetime
• μ-PCDmethod
• decay curve
• temperture dependence
• annealing

詳細情報

• CRID: 1520009409094669184
• NII論文ID: 110006291091
• NII論文ID: 110006292217
• NII論文ID: 110006292281
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 8762443
• NDL書誌ID: 8762120
• NDL書誌ID: 8763127
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8762443
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8762120
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8763127
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles