Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御

• 喜多 浩之

• 能村 英幸

• 鈴木 翔

Bibliographic Information

Other Title

• Ge High k マク ノ カイメン ハンノウ ニ チャクモクシタ デンキ トクセイ ノ セイギョ
• Significant improvement of electronic characteristics of High-k/Ge MIS capacitors by controlling interface reactions
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ デバイス

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107 (85), 85-90, 2007-06

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• High-k絶縁膜
• ゲルマニウム
• 電気特性
• MISキャパシタ
• 界面反応
• High-k dielectric
• germanium
• Electrical characteristics
• MIS capacitor
• Interface reaction

Details

• CRID: 1520572359255428864
• NII Article ID: 110006343333
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 8805358
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/8805358
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8805358
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN