平面応力を負荷した半導体シリコン単結晶中の点欠陥の安定性に関する第一原理解析

• 王艶 波

  岡山県立大学大学院情報系工学研究科

• 末岡 浩治

  岡山県立大学情報工学部

• 芝 世弐

  岡山県立大学情報工学部

• 福谷 征史郎

  岡山県立大学情報工学部

書誌事項

タイトル別名

• Ab Initio Analysis on Stability of Point Defects in Plane-Stressed Si Single Crystal
• ヘイメン オウリョク オ フカシタ ハンドウタイ シリコン タンケッショウチュウ ノ テン ケッカン ノ アンテイセイ ニ カンスル ダイイチ ゲンリ カイセキ

抄録

The effect of compressive or tensile plane-stress on formation energies and electronic properties of point defects in Si crystal was studied by first principles approach for in-plane strain up to 5.0%. It was found that the formation energy of interstitial Si (I) decreased under tensile in-plane strain. On the other hand, the formation energy of vacancy (V) decreased under compressive in-plane strain. The most stable states of I and V in intrinsic Si were I²+ at T site and V⁰ respectively, independent of type and value of the in-plane strain.

収録刊行物

• 日本機械学会論文集Ａ編

  日本機械学会論文集Ａ編 73 (732), 965-971, 2007

  一般社団法人 日本機械学会

キーワード

• Ab Initio Analysis
• Plane-Stressed Si
• Point Defect
• Formation Energy

詳細情報

• CRID: 1390282679454439040
• NII論文ID: 110006380472
• NII書誌ID: AN0018742X
• DOI: 10.1299/kikaia.73.965
• COI: 1:CAS:528:DC%2BD2sXhtFyjtLvP
• ISSN: 18848338
• ISSN: 03875008
• NDL書誌ID: 8930100
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8930100
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/kikaia1979/73/732/73_732_965/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可