チョクラルスキー法による単結晶Ｓｉ引上炉における液面位置オンライン測定技術の開発

• 高梨 啓一

  岡山県立大学大学院情報系工学研究科 (株) SUMCO技術開発部プロセス基盤技術課

• 末岡 浩治

  岡山県立大学情報工学部

• 福谷 征史郎

  岡山県立大学情報工学部

書誌事項

タイトル別名

• Online Measurement Technique for Melt Surface Level of Si Crystal in Growth Furnace of Czochralski Method
• チョクラルスキーホウ ニ ヨル タンケッショウ Si ヒキアゲロ ニ オケル エキメン イチ オンライン ソクテイ ギジュツ ノ カイハツ

抄録

We have developed a new instrumentation technique for Si crystal growth process of Czochralski (CZ) method for the purpose of the purpose of the quality improvement. In this paper, we developed the online measurement technique for the melt surface level of Si crystal in growth furnace. Our new technique can measure the melt surface level with high accuracy without the influence of meniscus. The characteristics of this technique are the elimination method of the influence of meniscus. The elimination error of meniscus influence is within +/-0.3 mm. This technique contributes to the improvement of CZ Si crystal quality.

収録刊行物

• 日本機械学会論文集Ｃ編

  日本機械学会論文集Ｃ編 73 (735), 2976-2981, 2007

  一般社団法人 日本機械学会

キーワード

• In-process Measurement
• Image Processing
• Optical Measurement
• Process Control
• Si Crystal
• Czochralski Method

詳細情報

• CRID: 1390001206387488896
• NII論文ID: 130004236516
• NII論文ID: 110006453872
• NII書誌ID: AN00187463
• DOI: 10.1299/kikaic.73.2976
• COI: 1:CAS:528:DC%2BD1cXit1aisrg%3D
• ISSN: 18848354
• ISSN: 03875024
• NDL書誌ID: 9285955
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9285955
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/kikaic1979/73/735/73_735_2976/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可