放射光軟Ｘ線と光電子顕微鏡を組み合わせたナノメートルスケールの化学結合状態マッピング

• 平尾 法恵

  日本原子力研究開発機構

• 馬場 祐治

  日本原子力研究開発機構

• 関口 哲弘

  日本原子力研究開発機構

• 下山 巖

  日本原子力研究開発機構

• 本田 充紀

  日本原子力研究開発機構

書誌事項

タイトル別名

• Chemical-State-Selective Mapping at Nanometer Scale Using Synchrotron Radiation and Photoelectron Emission Microscopy
• ホウシャコウ ナンXセン ト コウデンシ ケンビキョウ オ クミアワセタ ナノメートル スケール ノ カガク ケツゴウ ジョウタイ マッピング

抄録

固体表面のナノメートルスケールの局所分析においては，形状，元素分布，結晶構造だけでなく，化学結合状態（原子価状態）の分布を明らかにすることが重要となっている．化合物の内殻吸収ピークのエネルギーは同一元素であっても，化学結合状態によって変化する（化学シフト）ことが知られている．著者らはこれを利用し，エネルギー可変の放射光と光電子顕微鏡を組み合わせることにより，ナノメートルスケールの化学結合状態のみに依存したマッピング測定を行うための装置を開発した．同装置を使用しシリコン化合物の原子価状態マッピング測定に応用した．試料には，SiとSiO₂が周期的に並んだマイクロパターンを用い，Si K-吸収端近くの放射光を照射したときの光電子顕微鏡像を測定した．光電子顕微鏡で得られた画像の各点における輝度の放射光エネルギー依存性から，それぞれの点におけるSiの原子価状態をナノメートルスケールで明らかにすることに成功した．また，加熱によりSiO₂が横方向に拡散するようすをリアルタイムで観測し，Si-SiO₂界面の化学結合状態変化を明らかにした．

収録刊行物

• 分析化学

  分析化学 57 (1), 41-47, 2008

  公益社団法人 日本分析化学会

キーワード

• XAFS
• PEEM
• Si
• SiO₂
• interface
• annealing

詳細情報

• CRID: 1390001204356187264
• NII論文ID: 110006548905
• NII書誌ID: AN00222633
• DOI: 10.2116/bunsekikagaku.57.41
• COI: 1:CAS:528:DC%2BD1cXnvFKhsg%3D%3D
• NDL書誌ID: 9343247
• ISSN: 05251931
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9343247
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/bunsekikagaku/57/1/57_1_41/_pdf
• Web Site: http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/10896889
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • NDL-Digital
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可